NHỮNG ĐIỂM CƠ BẢN VỀ MOSFET
Mosfet là transistor hiệu ứng trường có dùng kim loại và oxit bán dẫn ( Metal
Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) - nó là một transistor đặc biệt
có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường mà ta đã biết. Mosfet
thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT. Đối với tín hiệu 1 chiều thì
nó coi như là 1 khóa đóng mở. Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng
từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp
cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
1. Cấu tạo và kí hiệu của Mosfet:
Khác với BJT, Mosfet có cấu trúc bán dẫn cho phép
điều khiển bằng điện áp với dòng điện điều khiển cực nhỏ.
Ký hiệu và sơ đồ chân tương đương
giữa Mosfet và Transistor
giữa Mosfet và Transistor
Qua đó ta thấy Mosfet này có
chân tương đương với Transitor:
+ Chân
G tương đương với B
+ Chân
D tương đương với chân C
+ Chân
S tương đương với E
*Cấu tạo của Mosfet:
Trạng thái phân cực và dòng chảy trong transistor MOSFET kênh N và kênh P
G : Gate gọi là cực cổng
S : Source gọi là cực nguồn
D : Drain gọi là cực máng
S : Source gọi là cực nguồn
D : Drain gọi là cực máng
*Trong đó :
Mosfet kênh N có hai miếng bán
dẫn loại P đặt trên nền bán dẫn N, giữa hai lớp P-N được cách điện bởi lớp SiO2 hai miếng bán dẫn P được nối ra thành
cực D và cực S, nền bán dẫn N được nối với lớp màng mỏng ở trên sau đó được dấu
ra thành cực G.
Mosfet có điện trở giữa
cực G với cực S và giữa cực G với cực D là vô cùng lớn , còn điện trở
giữa cực D và cực S phụ thuộc vào điện áp chênh lệch giữa cực G và cực S
( UGS )
Khi điện áp UGS = 0 thì điện trở RDS rất lớn, khi điện áp UGS > 0 => do hiệu ứng từ
trường làm cho điện trở RDS giảm,
điện áp UGS càng lớn thì điện trở RDS càng nhỏ.
2. Nguyên lý hoạt động:
Mạch điện thí nghiệm.
2. Nguyên lý hoạt động:
Mạch điện thí nghiệm.
Mạch thí nghiệm sự
hoạt động của Mosfet
- Thí nghiệm : Cấp nguồn một chiều UD qua một bóng đèn D vào hai cực D và S của Mosfet Q (Phân cực thuận cho Mosfet ngược) ta thấy bóng đèn không sáng nghĩa là không có dòng điện đi qua cực DS khi chân G không được cấp điện.
- Khi công tắc K1 đóng, nguồn UG cấp vào hai cực GS làm điện áp UGS > 0V => đèn Q1 dẫn => bóng đèn D sáng.
- Khi công tắc K1 ngắt, điện áp tích trên tụ C1 (tụ gốm) vẫn duy trì cho đèn Q dẫn => chứng tỏ không có dòng điện đi qua cực GS.
- Khi công tắc K2 đóng, điện áp tích trên tụ C1 giảm bằng 0 => UGS= 0V => đèn tắt
- => Từ thực nghiệm trên ta thấy rằng : điện áp đặt vào chân G không tạo ra dòng GS như trong Transistor thông thường mà điện áp này chỉ tạo ra từ trường => làm cho điện trở RDS giảm xuống .
*Các thông số thể hiện khả năng đóng
cắt của Mosfet
Thời gian trễ khi đóng/mở khóa
phụ thuộc giá trị các tụ kí sinh Cgs.Cgd,Cds. Tuy nhiên các thông số này thường
được cho dưới dạng trị số tụ Ciss, Crss,Coss. Nhưng dưới điều kiện nhất đinh
như là điện áp Ugs và Uds. Ta có thể tính được giá trị các tụ đó.